Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SiHF068N60EF
- RS-artikelnummer:
- 204-7249
- Tillv. art.nr:
- SIHF068N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
206,30 kr
(exkl. moms)
257,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 5 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 41,26 kr | 206,30 kr |
| 25 - 45 | 37,116 kr | 185,58 kr |
| 50 - 120 | 33,958 kr | 169,79 kr |
| 125 - 245 | 33,04 kr | 165,20 kr |
| 250 + | 32,234 kr | 161,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-7249
- Tillv. art.nr:
- SIHF068N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SiHF068N60EF | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 68mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 39W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 28.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SiHF068N60EF | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 68mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 39W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 28.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.
Avalanche energy rated (UIS)
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal 16 A 600 V Förbättring TO-220FP, SiHF068N60EF
- Vishay Typ N Kanal 5.5 A 600 V Förbättring TO-220FP, IRFI
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6 A 600 V Förbättring TO-220FP, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 600 V Förbättring TO-220FP, MDmesh
- Infineon Typ N Kanal 15 A 600 V Förbättring TO-220FP, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal 10.3 A 600 V Förbättring TO-220FP, CoolMOS CE
- STMicroelectronics Typ N Kanal 10 A 600 V Förbättring TO-220FP, FDmesh
- Vishay Typ N Kanal 4.5 A 100 V Förbättring TO-220FP
