Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, IRFI
- RS-artikelnummer:
- 541-1950
- Tillv. art.nr:
- IRFIB6N60APBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
30,19 kr
(exkl. moms)
37,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 998 enhet(er) levereras från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 30,19 kr |
| 10 - 49 | 25,63 kr |
| 50 - 99 | 24,09 kr |
| 100 - 249 | 22,13 kr |
| 250 + | 18,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 541-1950
- Tillv. art.nr:
- IRFIB6N60APBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220FP | |
| Serie | IRFI | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.75Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 60W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.63mm | |
| Höjd | 9.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220FP | ||
Serie IRFI | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.75Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 60W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.63mm | ||
Höjd 9.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 600V till 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.6 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, IRFI
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 4.1 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 7.2 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.6 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, IRFI
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.1 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, IRFI
- STMicroelectronics Typ N Kanal, FDmesh II effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, FDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, SuperMESH