STMicroelectronics N Kanal, FDmesh II effekt-MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, FDmesh

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 498,55 kr

(exkl. moms)

1 873,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 100 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 20029,971 kr1 498,55 kr
250 +29,133 kr1 456,65 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-7567
Tillv. art.nr:
STF11NM60ND
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

FDmesh II effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220FP

Serie

FDmesh

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.45Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Maximal effektförlust Pd

90W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.6mm

Höjd

16.4mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal FDmeshTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.