Vishay SiHB17N80E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80E-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

180,66 kr

(exkl. moms)

225,825 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2036,132 kr180,66 kr
25 - 4532,524 kr162,62 kr
50 - 12028,896 kr144,48 kr
125 - 24527,798 kr138,99 kr
250 +27,104 kr135,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7227
Tillv. art.nr:
SIHB17N80E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHB17N80E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

290mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.83 mm

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Height

15.88mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

relaterade länkar