Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB11N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

69,89 kr

(exkl. moms)

87,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 1 990 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4513,978 kr69,89 kr
50 - 12012,588 kr62,94 kr
125 - 24511,916 kr59,58 kr
250 - 49511,178 kr55,89 kr
500 +10,348 kr51,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4967
Tillv. art.nr:
SIHB11N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

391mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

14.61mm

Height

4.06mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with single configuration.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

relaterade länkar