Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 027,50 kr

(exkl. moms)

1 284,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 700 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5020,55 kr1 027,50 kr
100 - 20017,877 kr893,85 kr
250 +15,207 kr760,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-4971
Tillv. art.nr:
SIHB17N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.06mm

Length

14.61mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 15 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

relaterade länkar