Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB15N80AE-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

134,94 kr

(exkl. moms)

168,675 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +26,988 kr134,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4970
Tillv. art.nr:
SIHB15N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

304mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

35nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

158W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

14.61mm

Width

9.65 mm

Height

4.06mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 13 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

relaterade länkar