Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

134,94 kr

(exkl. moms)

168,675 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 965 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +26,988 kr134,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4970
Tillv. art.nr:
SIHB15N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-263

Serie

E

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

304mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

35nC

Maximal effektförlust Pd

158W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.06mm

Längd

14.61mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay E Series Power MOSFET has D2PAK (TO-263) package type with 13 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Relaterade länkar