Vishay SiHB17N80E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

28 655,00 kr

(exkl. moms)

35 819,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +28,655 kr28 655,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7226
Tillv. art.nr:
SIHB17N80E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHB17N80E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

290mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

15.88mm

Standards/Approvals

No

Width

4.83 mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

relaterade länkar