Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB24N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

65,41 kr

(exkl. moms)

81,762 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 944 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1832,705 kr65,41 kr
20 - 4829,51 kr59,02 kr
50 - 9827,775 kr55,55 kr
100 - 19826,15 kr52,30 kr
200 +24,25 kr48,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2847
Tillv. art.nr:
SIHB24N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

184mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar