Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- RS-artikelnummer:
- 200-6839
- Tillv. art.nr:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
59 337,00 kr
(exkl. moms)
74 172,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 19,779 kr | 59 337,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6839
- Tillv. art.nr:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 204nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 0.61mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.15 mm | |
| Längd | 6.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 204nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 0.61mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.15 mm | ||
Längd 6.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Vishay SIDR638DP-T1-RE3 is a N-channel 40V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
100 % Rg and UIS tested