Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR638DP-T1-RE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

59 337,00 kr

(exkl. moms)

74 172,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +19,779 kr59 337,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6839
Tillv. art.nr:
SIDR638DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

TrenchFET Gen IV

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

204nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15 mm

Height

0.61mm

Automotive Standard

No

The Vishay SIDR638DP-T1-RE3 is a N-channel 40V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar