Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD690N60E-GE3

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

21 471,00 kr

(exkl. moms)

26 838,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,157 kr21 471,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6828
Tillv. art.nr:
SIHD690N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-252

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIHD690N60E-GE3 is a E Series power MOSFET.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

relaterade länkar