Vishay E Type N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

112,34 kr

(exkl. moms)

140,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 944 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1856,17 kr112,34 kr
20 - 4846,65 kr93,30 kr
50 - 9843,79 kr87,58 kr
100 - 19841,61 kr83,22 kr
200 +33,655 kr67,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2873
Tillv. art.nr:
SiHH080N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

32A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar