Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

278,20 kr

(exkl. moms)

347,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2511,128 kr278,20 kr
50 - 10010,559 kr263,98 kr
125 - 22510,286 kr257,15 kr
250 - 60010,017 kr250,43 kr
625 +9,766 kr244,15 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6829
Tillv. art.nr:
SIHD690N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIHD690N60E-GE3 is a E Series power MOSFET.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit

Low effective capacitance

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

relaterade länkar