Vishay E Type N-Channel MOSFET, 4.4 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SiHD5N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

107,74 kr

(exkl. moms)

134,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 140 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9010,774 kr107,74 kr
100 - 24010,438 kr104,38 kr
250 - 4909,923 kr99,23 kr
500 - 9909,475 kr94,75 kr
1000 +8,938 kr89,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2852
Tillv. art.nr:
SiHD5N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

relaterade länkar