Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, E

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

55,38 kr

(exkl. moms)

69,225 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +11,076 kr55,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4979
Tillv. art.nr:
SIHD11N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Kapseltyp

TO-252

Serie

E

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

391mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

78W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

9.4mm

Höjd

2.2mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay E Series Power MOSFET has DPAK (TO-252) package type with single configuration.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Relaterade länkar