Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

55,38 kr

(exkl. moms)

69,225 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +11,076 kr55,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4979
Tillv. art.nr:
SIHD11N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

391mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

9.4mm

Width

6.4 mm

Height

2.2mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has DPAK (TO-252) package type with single configuration.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

relaterade länkar