STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

141,12 kr

(exkl. moms)

176,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2028,224 kr141,12 kr
25 - 4526,836 kr134,18 kr
50 - 12024,102 kr120,51 kr
125 - 24521,684 kr108,42 kr
250 +20,676 kr103,38 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
192-4936
Tillv. art.nr:
STB18N60M6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

13A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

STB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

280mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

110W

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.8nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.37mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

Zener-protected

Relaterade länkar