STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 151-918
- Tillv. art.nr:
- STB75NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 1000 enheter)*
25 482,00 kr
(exkl. moms)
31 852,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 25,482 kr | 25 482,00 kr |
| 2000 + | 23,214 kr | 23 214,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-918
- Tillv. art.nr:
- STB75NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.034Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | 50°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 84nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.85mm | |
| Bredd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.034Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur 50°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 84nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.85mm | ||
Bredd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 4.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET realiseras med den unika STripFET-processen har speciellt utformats för att minimera ingångskapaciteten och grindladdningen. Den är därför lämplig som primär omkopplare i avancerade isolerade DC/DC-omvandlare med hög effektivitet.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
100 % avalanche-testade
Låg grindladdning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 75 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F3
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 16 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET H7