STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 810-7499
- Tillv. art.nr:
- STB30NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
149,18 kr
(exkl. moms)
186,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 29,836 kr | 149,18 kr |
| 25 - 45 | 28,358 kr | 141,79 kr |
| 50 - 120 | 25,492 kr | 127,46 kr |
| 125 - 245 | 22,96 kr | 114,80 kr |
| 250 + | 21,818 kr | 109,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 810-7499
- Tillv. art.nr:
- STB30NF20
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 75mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 75mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 30 A 200 V Förbättring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 16 A 60 V Förbättring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 40 A 200 V Förbättring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 120 A 75 V Förbättring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 75 A 200 V Förbättring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 75 A 75 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 100 V Förbättring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 60 V Förbättring TO-263, STripFET II