STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STP12NM50
- RS-artikelnummer:
- 188-8473
- Tillv. art.nr:
- STB12NM50T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
297,02 kr
(exkl. moms)
371,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 940 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 59,404 kr | 297,02 kr |
| 50 - 120 | 51,266 kr | 256,33 kr |
| 125 + | 41,226 kr | 206,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8473
- Tillv. art.nr:
- STB12NM50T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | STP12NM50 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 350mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 160W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 9.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 4.37mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie STP12NM50 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 350mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 160W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 9.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 4.37mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MDmeshTM är en ny revolutionerande MOSFET-teknik som associerar Multiple Drain-processen med företagets PowerMESHTM horisontell layout. Den resulterande produkten har en enastående låg påslagningsresistans, imponerande hög dv/dt och utmärkta avalanchegenskaper. Antagandet av företagets egenutvecklade bandteknik ger övergripande dynamisk prestanda.
Hög dv/dt- och avalanche-kapacitet
Låg ingångskapacitans och grindladdning
Sträng processkontroll och hög tillverkningsutbyte
Låg grindingångsresistans
Användningsområden
Omkopplingstillämpning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STP12NM50
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MDmesh II effekt-MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 16 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh