Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD2N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

93,30 kr

(exkl. moms)

116,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Begränsat lager
  • 1 400 kvar, redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,33 kr93,30 kr
100 - 2408,411 kr84,11 kr
250 - 4907,93 kr79,30 kr
500 - 9906,07 kr60,70 kr
1000 +5,656 kr56,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4982
Tillv. art.nr:
SIHD2N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

SiHD2N80AE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.9Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Width

6.22 mm

Height

2.25mm

Distrelec Product Id

304-38-847

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

relaterade länkar