Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

25 581,00 kr

(exkl. moms)

31 977,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +8,527 kr25 581,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-4978
Tillv. art.nr:
SIHD11N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-252

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

391mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

9.4mm

Standards/Approvals

No

Height

2.2mm

Width

6.4 mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has DPAK (TO-252) package type with single configuration.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

relaterade länkar