Vishay E Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU2N80AE-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

96,88 kr

(exkl. moms)

121,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 2 700 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,688 kr96,88 kr
100 - 2409,43 kr94,30 kr
250 - 4909,195 kr91,95 kr
500 - 9908,938 kr89,38 kr
1000 +8,725 kr87,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
210-4997
Tillv. art.nr:
SIHU2N80AE-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

IPAK

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Height

2.18mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has IPAK (TO-251) package type.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

relaterade länkar