Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB22N60EF

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

87,63 kr

(exkl. moms)

109,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 020 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +17,526 kr87,63 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4976
Distrelec artikelnummer:
304-38-846
Tillv. art.nr:
SIHB22N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

19A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SiHB22N60EF

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

182mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

48nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

179W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.41mm

Bredd

9.65 mm

Höjd

4.57mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

EF-seriens effekt-MOSFET med snabbdiod (Fast Body Diode).

Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg

Låg ingångskapacitans (Ciss)

Minskade kopplings- och ledningsförluster

ANSÖKNINGAR

Nätaggregat för server och telekom

Strömförsörjning med omkopplare (SMPS)

Nätaggregat med effektfaktorkorrigering (PFC)