Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB22N60EF-GE3

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

87,63 kr

(exkl. moms)

109,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 020 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +17,526 kr87,63 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4976
Tillv. art.nr:
SIHB22N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHB22N60EF

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

182mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Height

4.57mm

Distrelec Product Id

304-38-846

Automotive Standard

No

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

relaterade länkar