Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB22N60EF
- RS-artikelnummer:
- 188-4872
- Tillv. art.nr:
- SIHB22N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
876,30 kr
(exkl. moms)
1 095,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,526 kr | 876,30 kr |
| 100 - 200 | 15,072 kr | 753,60 kr |
| 250 + | 14,178 kr | 708,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-4872
- Tillv. art.nr:
- SIHB22N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SiHB22N60EF | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 182mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 179W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.41mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SiHB22N60EF | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 182mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 179W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.41mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Höjd 4.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
EF-seriens effekt-MOSFET med snabbdiod (Fast Body Diode).
Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg
Låg ingångskapacitans (Ciss)
Minskade kopplings- och ledningsförluster
ANSÖKNINGAR
Nätaggregat för server och telekom
Strömförsörjning med omkopplare (SMPS)
Nätaggregat med effektfaktorkorrigering (PFC)
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB22N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHFBC30AS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB105N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB068N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E