Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- RS-artikelnummer:
- 204-7246
- Tillv. art.nr:
- SIHB125N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
267,46 kr
(exkl. moms)
334,33 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 53,492 kr | 267,46 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-7246
- Tillv. art.nr:
- SIHB125N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | EF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 125mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 179W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 4.06mm | |
| Längd | 14.61mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie EF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 179W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 4.06mm | ||
Längd 14.61mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 600 V drain-källspänning, 25 A kontinuerlig drain-ström – SIHB125N60EF-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanal-halvledarenhet som är utformad för omkopplings- och strömomvandlingsroller inom industriell elektronik. Den är avsedd för ytmonterad användning på strömförsörjningsenheter där robust spänningshantering och förhöjd temperaturtolerans krävs, vilket stöder tillämpningar som växlar höga spänningar och betydande strömmar i automations- och elektriska system.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga • 25 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar • 125 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning • 31 nC typisk grindladdning minimerar drivenergikrav • 179 W effektförlust möjliggör hållbar strömhantering • Maximal drifttemperatur på 150 °C stöder miljöer med höga temperaturer
Användningsområden
• Lämpligt för högspänningsväxelriktare i industriella drivenheter • Idealisk för strömförsörjningar som kräver hög brytspänning • Används med motorstyrenheter som hanterar tiotals ampere • Kan användas för att byta ut reläer vid halvledaromkoppling • Används för strömomvandling i automationsutrustning
Vilket grindspänningsområde är säkert för omkoppling av enheten?
Enheten accepterar grindspänningar upp till 30 V, vilket anger den maximala tillåtna grind-till-källa-potentialen för tillförlitlig drift.
Hur påverkar valet av förpackning den termiska prestandan?
TO-263-kapseln erbjuder en stor värmeplatta och ledningar för värmeledning, vilket underlättar värmeöverföring till kretskortskoppar och kylelement för att stödja den nominella strömförlusten.
Vilka är miljögränserna för drift?
Komponenten är specificerad för drift ned till -55 °C och upp till 150 °C, vilket definierar tillåtna omgivnings- och kopplingsextremer för konstruktionsmarginaler.
Hur många stift finns tillgängliga för PCB-layout?
Delen använder tre stift, vilket bestämmer fotavtryck och anslutningsarrangemang för dränering, källa och grind på kretskortet.
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 21 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, EF
