Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF

RS-artikelnummer:: 204-7246
Tillv. art.nr:: SIHB125N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

267,46 kr

(exkl. moms)

334,33 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 16 juli 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 +	53,492 kr	267,46 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 204-7246
Tillv. art.nr:: SIHB125N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	25A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Serie	EF
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	125mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	179W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	31nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	14.61mm
	Höjd	4.06mm
	Bredd	9.65mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Serie EF
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 179W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 14.61mm
	Höjd 4.06mm
	Bredd 9.65mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SIHB125N60EF-GE3

Vishay EF-serie effekt-MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 25 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHB125N60EF-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonteringstillämpningar där robust avtappningsström och värmehantering krävs. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är avsedd för omkopplings- och strömomvandlingsuppgifter inom industriell och kommersiell elektronik. Enheten levereras i en TO-263-förpackning som är kompatibel med ytmonteringsmontering och uppfyller RoHS-restriktioner.

Funktioner och fördelar:

• 600 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 25 A stöder höga belastningsströmmar
• 179 W effektförlust möjliggör varaktig termisk prestanda
• 125 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under drift
• 31 nC typisk grindladdning möjliggör effektiv grinddrivartiming
• Vgs max 30 V ger en bred grinddrivarmarginal för styrning

Användningsområden

• Lämplig för primärsidans SMPS-omkopplare i högspänningsförsörjningar
• Idealisk för steg för effektfaktorkorrigering som kräver hög spänning
• Används med motordrivna frontändar som hanterar förhöjda spänningar
• Kan användas för växelströmställare i industriella omvandlare
• Lämplig för LED-drivare som behöver högspänningskapacitet

Vilka extrema temperaturer tål enheten under drift?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer.

Hur många elektriska anslutningar ger paketet?

Enheten använder en trepolig konfiguration som är lämplig för vanliga MOSFET-topologier och kretskortslayouter.

Är denna enhet lämplig för fordonskvalificeringsprogram?

Den är inte utsedd som en komponent enligt fordonsstandard och saknar uttryckligt godkännande för fordonsindustrin.

Vilken monteringsmetod krävs för termisk och mekanisk stabilitet?

Den är avsedd för ytmontering i TO-263-format, vilket underlättar värmeöverföring till kopparområden på kretskortet.