Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 25 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

267,46 kr

(exkl. moms)

334,33 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +53,492 kr267,46 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7246
Tillv. art.nr:
SIHB125N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

25A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

EF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

125mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

31nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

179W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

9.65mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

4.06mm

Längd

14.61mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 600 V drain-källspänning, 25 A kontinuerlig drain-ström – SIHB125N60EF-GE3


Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanal-halvledarenhet som är utformad för omkopplings- och strömomvandlingsroller inom industriell elektronik. Den är avsedd för ytmonterad användning på strömförsörjningsenheter där robust spänningshantering och förhöjd temperaturtolerans krävs, vilket stöder tillämpningar som växlar höga spänningar och betydande strömmar i automations- och elektriska system.

Funktioner och fördelar:


• 600 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga • 25 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar • 125 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning • 31 nC typisk grindladdning minimerar drivenergikrav • 179 W effektförlust möjliggör hållbar strömhantering • Maximal drifttemperatur på 150 °C stöder miljöer med höga temperaturer

Användningsområden


• Lämpligt för högspänningsväxelriktare i industriella drivenheter • Idealisk för strömförsörjningar som kräver hög brytspänning • Används med motorstyrenheter som hanterar tiotals ampere • Kan användas för att byta ut reläer vid halvledaromkoppling • Används för strömomvandling i automationsutrustning

Vilket grindspänningsområde är säkert för omkoppling av enheten?


Enheten accepterar grindspänningar upp till 30 V, vilket anger den maximala tillåtna grind-till-källa-potentialen för tillförlitlig drift.

Hur påverkar valet av förpackning den termiska prestandan?


TO-263-kapseln erbjuder en stor värmeplatta och ledningar för värmeledning, vilket underlättar värmeöverföring till kretskortskoppar och kylelement för att stödja den nominella strömförlusten.

Vilka är miljögränserna för drift?


Komponenten är specificerad för drift ned till -55 °C och upp till 150 °C, vilket definierar tillåtna omgivnings- och kopplingsextremer för konstruktionsmarginaler.

Hur många stift finns tillgängliga för PCB-layout?


Delen använder tre stift, vilket bestämmer fotavtryck och anslutningsarrangemang för dränering, källa och grind på kretskortet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.