Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB068N60EF
- RS-artikelnummer:
- 204-7244
- Tillv. art.nr:
- SIHB068N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
379,68 kr
(exkl. moms)
474,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 75,936 kr | 379,68 kr |
| 25 - 45 | 64,534 kr | 322,67 kr |
| 50 - 120 | 60,772 kr | 303,86 kr |
| 125 - 245 | 56,986 kr | 284,93 kr |
| 250 + | 54,70 kr | 273,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-7244
- Tillv. art.nr:
- SIHB068N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 41A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SiHB068N60EF | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 68mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 14.61mm | |
| Höjd | 4.06mm | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 41A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SiHB068N60EF | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 68mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 51nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 14.61mm | ||
Höjd 4.06mm | ||
Bredd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays EF-serie effekt-MOSFET med snabb kroppsdiod har en 4:e generationens E-serieteknik. Den har minskade omkopplings- och ledningsförluster.
Avalanche Energy Rating (UIS)
Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB068N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB22N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 3.6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHFBC30AS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB105N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E