Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB068N60EF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

218,74 kr

(exkl. moms)

273,425 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2043,748 kr218,74 kr
25 - 4537,184 kr185,92 kr
50 - 12034,988 kr174,94 kr
125 - 24532,816 kr164,08 kr
250 +31,494 kr157,47 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7244
Tillv. art.nr:
SIHB068N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

41A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SiHB068N60EF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

68mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Maximal effektförlust Pd

250W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.06mm

Längd

14.61mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Avalanche energy rated (UIS)

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Relaterade länkar