Sök efter MPN

Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS-artikelnummer:: 188-4872
Tillv. art.nr:: SIHB22N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

876,30 kr

(exkl. moms)

1 095,40 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

1 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per Rør*
50 - 50	17,526 kr	876,30 kr
100 - 200	15,072 kr	753,60 kr
250 +	14,178 kr	708,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 188-4872
Tillv. art.nr:: SIHB22N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	SiHB22N60EF
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	182mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	9.65 mm
	Height	4.57mm
	Length	10.41mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Välj alla
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series SiHB22N60EF
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 182mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 9.65 mm
	Height 4.57mm
	Length 10.41mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet SIHB22N60EF-GE3

EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Vishay SiHB22N60EF Type N-Channel MOSFET, 19 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

relaterade länkar