Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SiHB105N60EF

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

63 957,00 kr

(exkl. moms)

79 947,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +21,319 kr63 957,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7204
Tillv. art.nr:
SIHB105N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SiHB105N60EF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

102mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

53nC

Maximal effektförlust Pd

208W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

15.88mm

Längd

10.67mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er)

Relaterade länkar