Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, EF

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 50 enheter)*

630,30 kr

(exkl. moms)

787,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 150 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +12,606 kr630,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-4973
Tillv. art.nr:
SiHB186N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

EF

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

168mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

156W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

21nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.06mm

Längd

14.61mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has D2PAK (TO-263) package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Relaterade länkar