Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, E

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

2 491,65 kr

(exkl. moms)

3 114,55 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 650 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5049,833 kr2 491,65 kr
100 - 20046,843 kr2 342,15 kr
250 +42,358 kr2 117,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
145-1820
Tillv. art.nr:
SIHB30N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

E

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

125mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

85nC

Maximal effektförlust Pd

250W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.67mm

Höjd

4.83mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor


The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Features


Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg

Low input capacitance (Ciss)

Low on-resistance (RDS(on))

Ultra-low gate charge (Qg)

Fast switching

Reduced switching and conduction losses

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar