Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SIHB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 373,20 kr

(exkl. moms)

1 716,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 950 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5027,464 kr1 373,20 kr
100 +24,416 kr1 220,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9903
Tillv. art.nr:
SIHB150N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

34A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SIHB

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.084Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±30 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

64nC

Maximal effektförlust Pd

184W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

10.67mm

Fordonsstandard

Nej

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

Relaterade länkar