Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET, 34 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 373,20 kr

(exkl. moms)

1 716,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 950 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
50 - 5027,464 kr1 373,20 kr
100 +24,416 kr1 220,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
279-9903
Tillv. art.nr:
SIHB150N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SIHB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

64nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

relaterade länkar