Sök efter MPN

Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7911
Tillv. art.nr:: SI3585CDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

78,68 kr

(exkl. moms)

98,36 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

2 720 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
20 - 180	3,934 kr	78,68 kr
200 - 480	3,851 kr	77,02 kr
500 - 980	2,954 kr	59,08 kr
1000 - 1980	2,321 kr	46,42 kr
2000 +	2,026 kr	40,52 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7911
Tillv. art.nr:: SI3585CDV-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N, Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	3.2nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.4W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Transistorkonfiguration	Dubbel
	Längd	3.05mm
	Höjd	1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N, Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.9A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp TSOP
	Serie TrenchFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.2nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.4W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Transistorkonfiguration Dubbel
	Längd 3.05mm
	Höjd 1mm
	Standarder/godkännanden No
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V. The MOSFET has a drain-source resistance of 58mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has continuous drain currents of 3.9A and 2.1A. It has a maximum power rating of 1.4W and 1.3W. It has been optimized, for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC converters

• Drivers: motor, solenoid, relay

• Load switch for portable devices

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested