Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 14.2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS110DN-T1-GE3

Se alla MOSFETs

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

119,70 kr

(exkl. moms)

149,625 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +4,788 kr119,70 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3962
Tillv. art.nr:
SiS110DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

14.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

24W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Length

3.15mm

Width

3.15 mm

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

relaterade länkar