Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

111 137,50 kr

(exkl. moms)

138 922,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 - 250044,455 kr111 137,50 kr
5000 +41,965 kr104 912,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
171-2421
Tillv. art.nr:
TK31V60W5
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

30.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

109mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.7V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

0.85mm

Width

8 mm

Length

8mm

Automotive Standard

No

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
CN
Switching Voltage Regulators

Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)

relaterade länkar