Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 30.8 A 600 V Förbättring, 5 Ben, DFN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

111 137,50 kr

(exkl. moms)

138 922,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 - 250044,455 kr111 137,50 kr
5000 +41,965 kr104 912,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
171-2421
Tillv. art.nr:
TK31V60W5
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

DFN

Fästetyp

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

109mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

240W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

105nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Framåtriktad spänning Vf

-1.7V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

8mm

Bredd

8 mm

Höjd

0.85mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
Switching Voltage Regulators

Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)

Relaterade länkar