Nexperia N Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 8 Ben, DFN

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
151-3049
Tillv. art.nr:
PMDXB600UNEZ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

600mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

4.03W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.05mm

Höjd

400μm

Längd

1.15mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET ≤ 20 V. Få de optimala omkopplingslösningarna för dina bärbara konstruktioner. Välj mellan ett brett utbud av enkel- och dubbel-N-kanal MOSFET upp till 20 V. Stor tillförlitlighet tack vare vår pålitliga TrenchMOS- och höljeteknik. Våra lågspännings MOSFET är lättanvända och speciellt utformade för att uppfylla kraven i bärbara tillämpningar med låga driftspänningar.

20 V, dubbel N-kanal Trench MOSFET, dubbelt N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i ett blyfritt ultraminiatyr DFN1010B-6 (SOT1216) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.

Trench MOSFET-teknik

Blyfri ultra liten och ultratunn SMD-plastförpackning: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Exponerad dräneringskudde för utmärkt värmeledningsförmåga

>

Drain-source on-state-motstånd RDSon = 470 mΩ

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.