Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

33 682,00 kr

(exkl. moms)

42 102,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +16,841 kr33 682,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
173-2857
Tillv. art.nr:
TK12P60W,RVQ(S
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

11.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-252

Serie

DTMOSIV

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

340mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

100W

Framåtriktad spänning Vf

-1.7V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

25nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.6mm

Fordonsstandard

Nej

MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterade länkar