Toshiba N Kanal, MOSFET, 30.8 A 600 V Förbättring, 5 Ben, DFN

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2526
Tillv. art.nr:
TK31V60W5
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

109mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

105nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

240W

Framåtriktad spänning Vf

-1.7V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.85mm

Bredd

8mm

Längd

8mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):
CN
Regulator för omkopplingsspänning

Snabb omvänd återställningstid: trr = 135 ns (typ.)

Låg dränering-källa-motstånd på: RDS(ON) = 0,087 Ω (typ.)

Lätt att styra grindväxling

Förbättringsläge: Vth = 3 till 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.