Toshiba N Kanal, MOSFET, 62 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- RS-artikelnummer:
- 168-7989
- Tillv. art.nr:
- TK62N60W,S1VF(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Få en mängdrabatt
Lägg till 150 till för att spara 1 812,75 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
3 625,23 kr
(exkl. moms)
4 531,53 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 04 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | 120,841 kr | 3 625,23 kr | - |
| 150 - 270 | 108,756 kr | 3 262,68 kr | 1 812,75 kr |
| 300 + | 102,234 kr | 3 067,02 kr | 5 582,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7989
- Tillv. art.nr:
- TK62N60W,S1VF(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 62A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | TK | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 180nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.7V | |
| Maximal effektförlust Pd | 400W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.02mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.94mm | |
| Höjd | 20.95mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie TK | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 180nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.7V | ||
Maximal effektförlust Pd 400W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.02mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.94mm | ||
Höjd 20.95mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET N-kanal, TK6- och TK7-serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 62 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DTMOSIV
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 11.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, TK