IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 10 enheter)*

2 698,08 kr

(exkl. moms)

3 372,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 140 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 670 enhet(er) från den 02 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 +269,808 kr2 698,08 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4576
Tillv. art.nr:
IXFN200N10P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

200A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

Polar HiPerFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

235nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar