IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 10 enheter)*

4 942,34 kr

(exkl. moms)

6 177,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 26 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 +494,234 kr4 942,34 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-1694
Tillv. art.nr:
IXFN24N100
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Series

HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

267nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

568W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Width

25.42 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar