IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 36 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 10 enheter)*

7 748,27 kr

(exkl. moms)

9 685,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 10 enhet(er) levereras från den 29 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 +774,827 kr7 748,27 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4473
Tillv. art.nr:
IXFN36N100
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

240mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

380nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.42 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar