IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN200N10P

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

323,23 kr

(exkl. moms)

404,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 89 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 6 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 676 enhet(er) från den 08 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1323,23 kr
2 - 4290,53 kr
5 - 9275,63 kr
10 - 19247,30 kr
20 +241,14 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
125-8040
Tillv. art.nr:
IXFN200N10P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

200A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

Polar HiPerFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

235nC

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar