STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F7

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

10 086,00 kr

(exkl. moms)

12 608,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 13 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +10,086 kr10 086,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-8231
Tillv. art.nr:
STB100N6F7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

STripFET F7

Kapseltyp

TO-263

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

5.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

125W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12.6nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.35 mm

Längd

10.4mm

Höjd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics


STMicroelectronics STripFET™ F7-serie av lågspännings-MOSFET:er har lägre on-state-resistans, med minskad intern kapacitans och gate-laddning för snabbare och effektivare switchning.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar