STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F7
- RS-artikelnummer:
- 906-4668
- Tillv. art.nr:
- STB100N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
99,99 kr
(exkl. moms)
124,99 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 19,998 kr | 99,99 kr |
| 50 - 245 | 16,278 kr | 81,39 kr |
| 250 - 495 | 12,398 kr | 61,99 kr |
| 500 + | 10,998 kr | 54,99 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 906-4668
- Tillv. art.nr:
- STB100N6F7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET F7 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7-serie av lågspännings-MOSFET:er har lägre on-state-resistans, med minskad intern kapacitans och gate-laddning för snabbare och effektivare switchning.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 545 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET