Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 132,00 kr

(exkl. moms)

3 915,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30001,044 kr3 132,00 kr
6000 - 120000,992 kr2 976,00 kr
15000 +0,929 kr2 787,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-7534
Tillv. art.nr:
BSS127H6327XTSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-23

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

600Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.82V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.65nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2.9mm

Height

1mm

Width

1.3 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

relaterade länkar