Infineon N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-7472
- Tillv. art.nr:
- BSS138NH6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
2 055,00 kr
(exkl. moms)
2 568,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,685 kr | 2 055,00 kr |
| 6000 - 12000 | 0,651 kr | 1 953,00 kr |
| 15000 + | 0,61 kr | 1 830,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-7472
- Tillv. art.nr:
- BSS138NH6327XTSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 230mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 830mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 230mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 830mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanaliga MOSFET:ar
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 170 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS