Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

1 491,00 kr

(exkl. moms)

1 863,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 36 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +0,497 kr1 491,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-4336
Tillv. art.nr:
BSS7728NH6327XTSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

SIPMOS

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

0.36W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.12mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.04mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Denna Infineon SIPMOS Small Signal MOSFET är idealisk för utrymmesbegränsade fordons- och/eller icke-fordonstillämpningar. De finns i nästan alla tillämpningar, t. ex. batteriskydd, batteriladdning, LED-belysning och så vidare.

Den är halogenfri enligt IEC61249-2-21

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.