Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

12 842,50 kr

(exkl. moms)

16 052,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 2 500 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,137 kr12 842,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
919-0297
Tillv. art.nr:
SI4559ADY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type P, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

72mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.4W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar