Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

3 118,00 kr

(exkl. moms)

3 898,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 10003,118 kr3 118,00 kr
2000 - 20002,962 kr2 962,00 kr
3000 +2,775 kr2 775,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-5811
Tillv. art.nr:
BSP125H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120mA

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

SIPMOS

Kapseltyp

SOT-223

Fästetyp

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

45Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.8W

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.5mm

Höjd

1.5mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.5 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

Infineon SIPMOS® N-kanaliga MOSFET:ar


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar