Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 826-9276
Distrelec artikelnummer:: 304-44-411
Tillv. art.nr:: BSP125H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 120 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

448,10 kr

(exkl. moms)

560,10 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 24 november 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
50 +	8,962 kr	448,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 826-9276
Distrelec artikelnummer:: 304-44-411
Tillv. art.nr:: BSP125H6327XTSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	120mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Serie	SIPMOS
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	45Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4.4nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	0.8V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.5mm
	Bredd	3.5mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.5mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Serie SIPMOS
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 45Ω
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.4nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 0.8V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.5mm
	Bredd 3.5mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.5mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Infineon SIPMOS-serien MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 120 mA maximal kontinuerlig drain-ström – BSP125H6327XTSA1

Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar i krävande miljöer. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är avsedd för kretsar som kräver hög dren-till-källa-blockeringskapacitet och kontrollerat omkopplingsbeteende. Kapseln stöder automatiserad kretskortsmontering och är lämplig för elektroniska system inom transport och industri.

Funktioner och fördelar:

• 600 V drain‐source-klassning möjliggör högspänningsväxlingskapacitet
• Maximal Rds på 45 Ω minskar läckage i avstängt läge
• 4,4 nC typisk grindladdning för snabbare grindövergångar
• 120 mA kontinuerlig dräneringsström för lågströmsfaser
• 0,8 V framspänning minimerar ledningsfall i diodvägen
• Maximal dissipation på 1.8 W stöder blygsam effekthantering

Användningsområden

• Lämplig för högspänningshjälpkretsar för fordon
• Idealisk för ingångsstegsväxling i nätaggregat
• Används med industriella sensorgränssnitt som kräver isolering
• Kan användas för små motordrivarskyddselement
• Praktisk för batterihantering och laddningsunderenheter

Vilken monteringsmetod krävs för kortsamling?

Den levereras i en ytmonterad SOT-223-kapsel avsedd för lödda kretskortsfästen och omsmältningsprocesser.

Hur beter den sig i extrema temperaturer?

Enheten är klassad för drift från -55 °C till 150 °C och upprätthåller omkopplingsfunktionen och specificerade gränser under hela det termiska intervallet.

Vilka gränsspänningsgränser bör konstruktörer observera?

Den maximala gate-to-source-spänningen är 20 V, så drivkretsar får inte överskrida denna amplitud för att undvika skador.

Finns det begränsningar för puls i förhållande till kontinuerlig ström?

Den specificerade kontinuerliga dräneringskapaciteten är 120 mA

högre transientströmmar kräver en bedömning av termiskt och säkert driftområde.